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產(chǎn)品中心

分立器件晶圓集成電路

汽車

小信號開關二極管
小信號肖特基二極管
小信號穩(wěn)壓管
小信號三極管
整流二極管
快恢復二極管
肖特基二極管
瞬態(tài)抑制二極管
靜電保護二極管
MOSFET
功率三極管
小信號數(shù)字三極管
功率穩(wěn)壓管
SiC汽車電子
IGBT汽車電子

整流器件

整流橋
普通整流二極管
快恢復二極管
超高效整流二極管
超快恢復二極管
肖特基二極管
光伏二極管
焊接二極管

汽車電子整流器件
整流二極管快恢復二極管肖特基二極管

保護器件

瞬態(tài)抑制二極管
晶閘浪涌保護器
靜電保護二極管
穩(wěn)壓管

可控硅
單向可控硅雙向可控硅

汽車電子保護器件
瞬態(tài)抑制二極管靜電保護二極管功率穩(wěn)壓管

小信號

小信號開關二極管
小信號肖特基二極管
小信號穩(wěn)壓管
小信號三極管
小信號數(shù)字三極管
功率三極管

汽車電子小信號
小信號開關二極管小信號肖特基二極管小信號穩(wěn)壓管小信號三極管功率三極管小信號數(shù)字三極管

MOSFET

ALL MOSFET
汽車電子MOSFET

高壓MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET Planner MOSFET

中低壓MOSFET(12V-400V)
N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
Complementary MOSFET Dual N-Channel MOSFET Dual P-Channel MOSFET Half-bridge MOSFET

IGBT

IGBT模塊
IGBT單管
IGBT汽車電子

模塊

整流模塊
快恢復模塊
肖特基模塊
晶閘管模塊
晶閘管混合模塊
快速/相控晶閘管

SiC

SiC肖特基二極管單管
SiC MOSFET單管
SiC二極管模塊
SiC MOSFET模塊
SiC汽車電子肖特基二極管
SiC汽車電子MOSFET

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防護芯片

8寸晶圓

集成電路

負載開關
線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準
開關電源轉換器

產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

IGBT變頻器應用系列C2&E3模塊

IGBT變頻器應用系列C2&E3模塊 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 1、IGBT變頻系列產(chǎn)品主要有C2和E3封裝；
2、電壓等級為1200V，電流等級600A；
3、具有出色的機械強度、高功率循環(huán)能力；
4、采用自動化焊片、銅線鍵合工藝；
5、主要用于電動汽車、光伏、風電、中/大功率電機驅動等領域；
6、相關系列產(chǎn)品與市場主流產(chǎn)品完全pin to pin替代應用；
7、采用環(huán)保物料，符合RoHS標準。

產(chǎn)品特點 1、最高結溫Tjmax=175℃;
2、低Vce(sat)和開關損耗；
3、微溝槽有較強的短路耐受能力；
4、緊湊而可靠的設計，采用注塑嵌入式端子；
5、低Rjc熱阻和高散熱性能;
6、AC 2.5KV 1min絕緣能力。

規(guī)格書

MG600HF12MLC2 MG600HF12TLC2 MG600HF12TLE3

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